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產(chǎn)品資料

成都西野供應(yīng)日本日立HITACHI高性能FIB-SEM系統(tǒng)Ethos NX5000

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產(chǎn)品名稱: 成都西野供應(yīng)日本日立HITACHI高性能FIB-SEM系統(tǒng)Ethos NX5000
產(chǎn)品型號: Ethos NX5000
產(chǎn)品展商: 日本日立HITACHI
產(chǎn)品文檔: 無相關(guān)文檔

簡單介紹

成都西野供應(yīng)日本日立HITACHI高性能FIB-SEM系統(tǒng)Ethos NX5000 “Ethos”采用日立高新的核心技術(shù)--全球**的高亮度冷場發(fā)射電子槍及新研發(fā)的電磁復(fù)合透鏡,不但可以在低加速電壓下實現(xiàn)高分辨觀察,還可以在FIB加工時實現(xiàn)實時觀察。 成都西野供應(yīng)日本日立HITACHI高性能FIB-SEM系統(tǒng)Ethos NX5000


成都西野供應(yīng)日本日立HITACHI高性能FIB-SEM系統(tǒng)Ethos NX5000  的詳細介紹

核心理念

1. 搭載兩種透鏡模式的高性能SEM鏡筒

  • HR模式下可實現(xiàn)高分辨觀察(半內(nèi)透鏡)
  • FF模式下可實現(xiàn)高精度加工終點檢測(Timesharing Mode)

2. 高通量加工

  • 可通過高電流密度FIB實現(xiàn)快速加工( 大束流100nA)
  • 用戶可根據(jù)自身需求設(shè)定加工步驟

3. Micro Sampling System*3

  • 運用ACE技術(shù)(加工位置調(diào)整)抑制Curtaining效應(yīng)
  • 控制離子束的入射角度,制備厚度均勻的薄膜樣品

4. 實現(xiàn)低損傷加工的Triple Beam System*3

  • 采用低加速(Ar/Xe)離子束,實現(xiàn)低損傷加工
  • 去除鎵污染

5. 樣品倉與樣品臺適用于各種樣品分析

  • 多接口樣品倉(大小接口)
  • 超大防振樣品臺(150 mm□)
*3
選配

高性能SEM鏡筒

Ethos搭載的SEM配有兩種透鏡模式。HR模式可將樣品置于透鏡磁場之中,實現(xiàn)樣品的高分辨觀察。FF模式可在 短10nsec內(nèi)切換FIB照射與SEM觀察。用戶可在高速幀頻下觀察SEM圖像的同時,進行FIB加工,因此,可輕松判斷截面的加工終點。NX5000采用電磁復(fù)合透鏡,即使在FF模式下也可保持高分辨觀察。

高分辨SEM觀察實例


Fin-FET 14 nm device


3D-NAND device

高性能FIB鏡筒

通過高電流密度FIB可實現(xiàn)快速加工、廣域加工、多處自動加工等

分時掃描模式

在FIB、Ar/Xe離子束照射時,可實時或分時觀察SEM圖像

■ 分時掃描模式可在 適當?shù)奈恢猛V辜庸?br /> ■ Cut & See模式可實現(xiàn)高分辨SEM觀察
■ 實時加工模式是加工時間優(yōu)先的FIB加工模式

采用Cut & See模式可實現(xiàn)三維重構(gòu)

FOV:20 μm
Cut & See:200張
Slice pitch:20 nm
SEM加速電壓:1.5 kV

固體氧化物燃料電池的燃料極(Ni-YSZ)
樣品提供:東京大學(xué) 生產(chǎn)技術(shù)研究所
鹿園直毅 教授

抑制FIB加工損傷的高質(zhì)量TEM樣品制備

采用低加速氬離子束以及高電流密度FIB,可實現(xiàn)快速加工、廣域加工以及多處自動加工等

在2kV低加速電壓下進行FIB加工時,觀察Ga+離子照射造成的樣品損傷(紅色箭頭)(圖a)
然后,在1kV低加速電壓下進行氬離子研磨,消除FIB加工產(chǎn)生的損傷層后,可以清晰觀察到晶格像。

Triple Beam System(氬氣/氙氣)

在制備極薄樣品時,必須采用廣域且低損傷的加工方法。
Ethos采用樣品加工位置調(diào)整與低加速氬離子束精加工相結(jié)合的ACE技術(shù),可制備出高質(zhì)量的TEM薄膜樣品。

ACE: Anti Curtaining Effect

GUI設(shè)計進一步提升了視覺美觀和響應(yīng)速度

4種信號可供選擇

■ In-Column探測器(SED×1、BSE×2)與樣品倉SE探測器可同時采集信號
■ 搭載各SEM光學(xué)系統(tǒng)的Beam條件保存與讀取功能
■ 可根據(jù)不同觀察需求(形貌/成分),選擇 適合的探測器
■ 每種探測器均可實現(xiàn)對比度、亮度等個性設(shè)置、保存與輸出

建立多樣化的加工模式與定序

登錄和輸出各種加工模式/觀察條件

■ 拖拽即可簡單建立加工/觀察定序
■ 各加工模式與程序加工均可自由編輯與登錄
■ 可通過輸出當前的程序加工,簡單完成加工設(shè)置
■ 可通過讀取當前的定序,大大簡化重復(fù)操作
■ 可通過復(fù)制并編輯定序,進一步提高擴展性與靈活性

通過運用各種加工模式,靈活設(shè)置加工范圍

■ 加工模式支持矩形、圓形、三角形、平行四邊形、傾斜加工、Bit-map加工等
■ 應(yīng)用加工支持橫截面加工以及TEM樣品制備
■ Vector Scan*3可根據(jù)向量信息顯示加工范圍,完成精準定位。而且,圖像(bmp)轉(zhuǎn)換成向量后,也可繼續(xù)進行樣品加工
■ 搭載各種離子束照射位置補償功能(漂移校正功能),可實現(xiàn)高精度加工

*3
選配

超大樣品倉支持各種用途

■ 配置支持高分辨觀察的防振樣品臺
■ 設(shè)置多種接口,可加裝更多的選配附件,實現(xiàn)多種樣品加工、觀察以及分析

  • 項目 內(nèi)容
    FIB 二次電子像分辨率(C.P) 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
    加速電壓 0.5 kV – 30 kV
    探針電流范圍 0.05 pA – 100 nA
    離子源 GA液體金屬離子源
    SEM 二次電子像分辨率(C.P) 1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV
    加速電壓 0.1 kV – 30 kV
    探針電流范圍 5 pA – 10 nA
    電子槍 冷場場發(fā)射電子槍
    標準探測器 In-Column二次電子探測器 SE(U)
    In-Column背散射電子探測器 BSE(U)
    In-Column背散射電子探測器 BSE(L)
    Chamber二次電子探測器 SE(L)
    驅(qū)動范圍
    (5軸反饋控制)
    X 155 mm
    Y 155 mm
    Z 16.5 mm
    R 0 - 360° 旋轉(zhuǎn)
    T -10~59°
    樣品尺寸 大直徑 150 mm
    選配 Ar/Xe離子束系統(tǒng)
    Micro Sampling System
    氣體注入系統(tǒng)(雙室或三室貯氣筒)
    電動搬運式樣品交換倉
    連續(xù)自動加工軟件
    連續(xù)A-TEM2
    各種樣品桿
    EDS(能譜儀)
    EBSD(電子背散射衍射)

     




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