MEMS用途上,配備具有較深度焦點(diǎn)深度(*大±50微米(MICRON))之USHIO獨(dú)特投影鏡頭,*適合對(duì)高低差異基板的曝光、及凹凸基板的曝光,甚至壓膜光阻的曝光。此外,亦可透過背面對(duì)位(選購配備)對(duì)背面曝光。
?較深的焦點(diǎn)深度
配備具有*大±50μ焦點(diǎn)深度的投影鏡片。
?高精度校正
采用TTL測光方式。
直接使用各個(gè)顯微鏡觀察遮罩/工作記號(hào)進(jìn)行校正,因此可執(zhí)行高**度校正。
?光罩無損害
光罩與作產(chǎn)品完全不接觸,因此不造成損壞,光罩可半長久使用。
?抗污垢與殘留異物的構(gòu)造
可安裝附薄膜的光罩,因此可忽視光罩類型面上的污垢執(zhí)行曝光。
此外,為了在光罩類型面對(duì)焦,其構(gòu)造可抗光罩上的污垢。
?簡易維護(hù)與操作
因?yàn)槠毓鈺r(shí)無須驅(qū)動(dòng),一年一次校正即可。操作與選單管理的重現(xiàn)亦完整。
?MEMS
?3D封裝
?重新接線層的曝光
?各種電子零件
?電源裝置
?SU8等壓膜電阻等